|
|
|
Doğum Yılı: |
1968 (Yozgat) |
Yazışma Adresi : |
Balıkesir Üniversitesi, Fen Edebiyat Fakültesi, Fizik Bölümü, Çağış Kampüsü 10145 Balıkesir/Türkiye |
Telefon : |
0266-6121000/1401 |
Faks : |
0266 6121215 |
e-posta : |
ateke@balikesir.edu.tr |
EĞİTİM BİLGİLERİ
Ülke |
Üniversite |
Fakülte/Enstitü |
Öğrenim Alanı |
Derece |
Mezuniyet Yılı |
Ingiltere |
University of Essex |
Faculty of Science |
Fizik |
Doktora |
1997 |
Türkiye |
Orta Doğu Teknik Üniversitesi |
Fen-Edebiyat Fakültesi |
Fizik |
Lisans |
1992 |
AKADEMİK/MESLEKTE DENEYİM
Kurum/Kuruluş |
Ülke |
Şehir |
Bölüm/Birim |
Görev Türü |
Görev Dönemi |
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Prof. Dr. |
2011- |
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Doç. Dr. |
2005-2011 |
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Yrd. Doç. Dr. |
2004-2005 |
Virginia Commonwealth University |
ABD |
Richmond |
Electrical & Computer Engineering |
2002-2004 |
|
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Yrd. Doç. Dr. |
1999-2002 |
University of Essex |
Ingiltere |
Colchester |
Computer Science & Electronic Engineering |
2001-2001 |
|
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Araştırma Görevlisi (Dr.) |
1997-1999 |
Balıkesir Üniversitesi |
Türkiye |
Balıkesir |
Fizik |
Araştırma Görevlisi |
1993-1997 |
YAYINLAR
S. No |
Uluslararası Hakemli Dergilerde Yayınlanan Makaleler (SCI, SCI-Expanded) |
Atıf
Sayıları |
1 |
Engin Arslan, Sevil Turan, Sibel Gökden, Ali Teke, Ekmel Özbay, "Current-Transport Mechanisms in the AlInN/AlN/GaN single-channel and AlInN/AlN/GaN/AlN/GaN double-channel heterostructures", Thin Solid Films, 548 411418 (2013) |
- |
2 |
A. Ilgaz, S. Gökden, R. Tülek, A. Teke, S. Özçelik and E. Özbay, "Energy relaxations of hot electrons in AlGaN/AlN/GaN heterostructures grown by MOCVD on sapphire and 6H-SiC substrates", European Physical Journal-Applied Physics, 55, 30102 (2011) |
2 |
3 |
S.K. Zhang, W.B. Wang, R.R. Alfano, A. Teke, L. He, S. Doğan, D.J. Johnstone and H. Morkoç, Photoionization study of deep centers in GaN/AlGaN multiple quantum wells, Journal of Vacuum Science & Technology B, 28, C3_10 (2010) |
- |
4 |
S. Gökden, R. Tülek, A. Teke, J. H. Leach, Q. Fan, J. Xie, Ü. Özgür, H. Morkoç, S. B. Lisesivdin and E. Özbay, Mobility limiting scattering mechanisms in nitride-based two-dimensional heterostructures with the InGaN channel, Semiconductor Science and.Technology, 25, 045024 (2010) |
2 |
5 |
Engin Arslan, Özgür Duygulu, Ali Arslan Kaya, Ali Teke, Süleyman Özçelik, and Ekmel Ozbay, The electrical, optical, and structural properties of GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrate with SiNx interlayers, Superlattices and Microstructures 46, 846 (2009) |
6 |
6 |
A. Teke, S. Gökden, R. Tülek, J.H. Leach, Q. Fan, J. Xie, Ü. Özgür, H. Morkoç, S.B. Lisesivdin and E. Özbay, The effect of AlN interlayer thicknesses on scattering processes in lattice-matched AlInN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures, New Journal of Physics, 11, 063031 (2009) |
22 |
7 |
R. Tulek, A. Ilgaz, S. Gokden, A. Teke, M. K. Ozturk, M. Kasap, S. Ozcelik, E. Arslan and E. Ozbay, Comparison of the transport properties of high quality AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN two-dimensional electron gas heterostructures, Journal of Applied Physics, 105, 013707 (2009) |
27 |
8 |
E. Arslan, M.K. Ozturk, A. Teke, S. Ozcelik and E. Ozbay, Buffer optimization for crack-free GaN epitaxial layers grown on Si(111) substrate by MOCVD, Journal of Physics D-Applied Physics, 41, 155317 (2008) |
26 |
9 |
S. Gokden, A. Teke, R. Baran, The Applicability of Alpha Model to Degenerate InN, Optoelectronics and Advanced Materials- Rapid Communications, 1, 57 (2007) |
- |
10 |
Ü. Özgür,Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Doğan, V. Avrutin, S.-J. Cho, and H. Morkoç, A comprehensive review of ZnO materials and devices, Journal of Applied Physics, 98, 041301 (2005) |
3484 |
11 |
Xing Gu, Shariar Sabuktagin, Ali Teke, Daniel Johnstone, Hadis Morkoç and Jeff Nause, Effect of thermal treatment on ZnO substrate for epitaxial growth, Journal of Materials Sciences- Materials in Electronics, 15, 373-378 (2004) |
16 |
12 |
A. Teke, Ü. Özgür, S. Doğan, X. Gu, H. Morkoç, B. Nemeth, J. Nause and H. O. Everitt, Excitonic fine structure and recombination dynamics in single-crystalline ZnO, Physical Review B, 70, 195207 (2004) |
357 |
13 |
Xing Gu, Michael A. Reshchikov, Ali Teke, Daniel Johnstone, Hadis Morkoc¸ Bill Nemeth ve Jeff Nause, GaN epitaxy on thermally treated c-plane bulk ZnO substrates with O and Zn faces, Applied Physics Letters, 84, 2268-2270 (2004) |
39 |
14 |
Ü. Özgür, A. Teke, C. Liu, S-J. Cho, H. Morkoç and H. O. Everitt, Stimulated Emission And Time-Resolved Photoluminescence in Rf-Sputtered Zno Thin Films, Applied Physics Letters, 84, 3223-3225 (2004) |
69 |
15 |
A. Teke, S. Doğan, L. He, D. Huang, F. Yun, M. Mikkelson, H. Morkoç, S.K. Zhang, W.B. Wang ve R.R. Alfano, p-GaN-i-GaNAlGaN Multiple-Quantum Well n-AlGaN Back-Illuminated Ultraviolet Detectors, Journal of Electronic Materials, 32, 307-311 (2003) |
3 |
16 |
A. Teke, S. Doğan, F. Yun, M.A. Reshchikov, H. Le, X.Q. Liu, H. Morkoç, S.K. Zhang, W.B. Wang ve R.R. Alfano, GaNAlGaN back-illuminated multiple-quantum-well Schottky barrier ultraviolet photodetectors, Solid State Electronics, 47, 1401-1408 (2003) |
12 |
17 |
S. Doğan, A. Teke, D. Huang, H. Morkoç¸ C. B. Roberts, J. Parish, B. Ganguly, M. Smith, R. E. Myers and S. E. Saddow, 4H-SiC Photoconductive Switching Devices For Use In High-Power Applications, Applied Physics Letters, 82, 3107-3109 (2003) |
32 |
18 |
S. Mazzucato, N. Balkan, A. Teke, A. Erol, R. J. Potter, M. C. Arıkan, X. Marie, C. Fontaine, H. Carrère, E. Bedel, ve G. Lacoste, In-plane photovoltage and photoluminescence studies in sequentially grown GaInNAs and GaInAs quantum wells Journal of Applied Physics, 93, 2440-2448 (2003) |
14 |
19 |
S. Mazzucato, A. Erol, A. Teke, M.C. Arıkan, R.J. Potter, N. Balkan, X. Marie, A. Boland-Thoms, H. Carrère, E. Bedel, G. Lacoste, C. Fontaine ve A. Arnoult, Photo-induced transient spectroscopy and in-plane photovoltage in GaInNAsGaAs quantum wells, Physica E, 17, 250-251 (2003) |
3 |
20 |
A. Teke, Analysis of a Hot Electron Light Emitting Device at Low and High Electric and Magnetic Fields, Physica Status Solidi (a), 186, 493-503 (2001) |
- |
21 |
N. Balkan, A. Teke, ve R. Gupta, Tunable Wavelength Light Emission from Longitudinally Biased P-GaAsN-AlxGa1-xAs Junction Containing GaAs Quantum Wells: Non-Linear Dynamics, Physica E, 4, 300-315 (1999) |
3 |
22 |
A. Teke, R. Gupta, N. Balkan, J.H. Wolter ve W. van der Vleuten, A Tunable Hot Electron Light Emitter, Semiconductor Science and Technology, 12, 314-320 (1997) |
4 |
23 |
R. Gupta, N. Balkan, A. Teke, A. Straw, ve A. da Cunha, Hot Electron Light-Emitting Semiconductor Device-Type 2, Superlattices and Microstructures, 18, 45-51 (1995) |
2 |
24 |
N. Balkan, A. Teke, R. Gupta, A. Straw, J.H. Wolter ve W. van der Vleuten, Tunable Wavelength Hot Electron Light Emitter, Applied Physics Letters, 67, 935-937 (1995) |
10 |
TOPLAM |
4135 |
S. No |
Uluslararası Hakemli Konferansların Bildiri Kitaplarında (Proceedings) Yayınlanan Makaleler |
1 |
M. A. Reshchikov, A. Teke, H. P. Maruska, D. W. Hill, ve H. Morkoç, Photoluminescence from freestanding GaN with (0110) orientation, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 798, Y5.53.1-6 (2004) |
2 |
Xing Gu, Michael A. Reshchikov, Lei He, Ali Teke, Feng Yun, Daniel K. Johnstone, Bill Nemeth, Jeff Nause, ve Hadis Morkoç, Epitaxy of highly optical efficient GaN on O and Zn face ZnO, Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 798, Y9.1.1-6 (2004) |
3 |
N. Balkan, A. Da Cunha, A. Obrien, A. Teke, R. Gupta, A. Straw and M. Ç. Arikan, Hot Electron Light-Emitting Semiconductor Heterojunction Devices (Hellish)-Type 1 and Type 2, Hot Carriers In Semiconductors, Ed. K. Hess et al., Plenum Press, New York, 603 (1996) |
S. No |
Ulusal Hakemli Dergilerde Yayınlanan Makaleler |
1 |
A. Teke, Structural Analysis of a GaAsAlxGa1-xAs Hot Electron Light Emitter Using Double Axis X-Ray Diffraction, Turkish Journal of Physics, 26, 199-207 (2002) |
2 |
A. Teke, Longitudinally biased GaAsAlxGa1-xAs hot electron VCSEL design, Fırat University, Journal of Science and Engineering, 13, 397-404 (2001) |
3 |
A. Teke ve N. Balkan, Optimisation of Tunable Wavelength Hot Electron Light Emitter, Turkish Journal of Physics, 23, 751-763 (1999) |
S. No |
Yazılan Uluslararası
Kitaplar veya Kitaplarda Bölümler |
1 |
S. Doğan, A. Teke ve H. Morkoç, III-V Nitrides and Silicon Carbide as Optoelectronic Materials, in Handbook of Photonics, ed. Mool C. Gupta and John Balloto, CRC Press, Toylar&Francis Group, Part II Materials-Semiconductor, 4-1 (2007) |
2 |
A. Teke ve H. Morkoç, Group III Nitrides, in Springer Handbook of Electronic and Photonic Materials, ed. S. Kasap and P. Capper, Springer Science+Business Media,Inc., Part D Materials for Optoelectronic and Photonics, 753 (2006) |
S. No |
Uluslararası Bilimsel Toplantılarda Sunulan ve Özet Bildiri Kitabında Basılan Bildiriler |
1 |
Engin Arslan, Bayram Bütün, Ali Teke and Ekmel Ozbay, Structural and optical properties of crack free GaN epilayers grown on Si(111) substrate at different nitridation times, PhOREMOST Workshop Advances in Nanophotonics Istanbul (2007) |
2 |
Bayram Bütün, Erkin Ülker, Ali Teke and Ekmel Ozbay, Carrier Localization in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Light Emitting Diode, PhOREMOST Workshop Advances in Nanophotonics Istanbul (2007) |
3 |
Shariar Sabuktagin, Micheal A. Reshchikov, Ali Teke, Seydi Dogan, Josh Spradlin, Daniel Johnstone and Hadis Morkoç, Band Bending near the Surface in GaN as Detected by a Charge Sensitive Probes, MRS Fall Meeting, December 1-5, Boston, USA, Y5.39, 631 (2003) |
4 |
Michael A. Reshchikov, Ali Teke, Herbert-Paul Maruska, Dawid W. Hill, and Hadis Morkoç, Photoluminescence from freestanding GaN with (0110) orientation, MRS Spring Meeting, April 21-25, San Francisco, USA, Y5.53, 633 (2003) |
5 |
M.J. Redmond, A.K. Pradhan, A. Teke, M.A. Reschchikov, S. Dogan, C. Liu, F. Yun, M.Z. Iqbal, and H. Morkoc, High Temperature Ferromagnetism in GaN:Mn Thin Films, MRS Spring Meeting, April 21-25, San Francisco, USA, V6.5, 433 (2003) |
6 |
S.K. Zhang, W.B. Wang, R.R. Alfano, A. Teke, M. Reshchikov, L. He, S. Dogan, F. Yun and H. Morkoc, Photoionization Cross Sections of Deep Centers in GaN/AlGaN MQW Detector, 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop, September 29-October 1, Richmond, VA, USA, 119 (2003) |
7 |
Ali Teke, Ümit Özgür, Xing Gu, Seydi Doğan, Sang-Jun Cho, Bill Nemeth, Jeff Nause, ve Henry O. Everitt, Daniel K. Johnstone and H. Morkoç, , Continuous-Wave and Time-Resolved Photoluminescence Measurements on Bulk ZnO Substrates, 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop, September 29-October 1, Richmond, VA, USA, 109 (2003) |
8 |
Chunli Liu, Ali Teke, Ümit Özgür and Hadis Morkoc, RF Sputtering Deposition of High Quality ZnO Thin Films, 8th Wide-Bandgap III-Nitride Workshop, September 29-October 1, Richmond, VA, USA, Abstract Book, 88 (2003) |
9 |
A. Teke and N. Balkan, Optimisation of Tunable Wavelength Hot Electron Light Emitter, V. International Research Workshop; Low Dimensional Semiconductor: Physics and Devices, Scattering Mechanism and Device Performance, Antalya-Turkey, PP17 (1998) |
10 |
A. Teke, N. Balkan and R. Gupta, HELLISH-II: Hot Electron Surface Light Emitter, CMMP 95, Liverpool, UK, 140 (1995) |
S. No |
Uluslal Bilimsel Toplantılarda Sunulan ve Özet Bildiri Kitabında Basılan Bildiriler |
1 |
A. Ilgaz, S. Gökden, A. Teke and E. Özbay, Hot electron dynamics in AlGaN/AlN/GaN and AlInN/AlN/GaN HEMT Structures, TFD2009 |
2 |
R. Tülek, A. Ilgaz, S. Gökden, A. Teke, E. Özbay, Ü. Özgür, and H. Morkoç, Transport properties of Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN , Al0.88In0.12N/AlN/GaN and Al0.82In0.18N/AlN/In0.04Ga0.96N/GaN Heterostructures, TFD2009 |
3 |
Aykut Ilgaz, Sibel Gökden, Ali Teke, Süleyman Özçelik, S.B.Lisesivdin and Ekmel Özbay , Safir ve SiC Üzerine Büyütülmüş AlGaN/AlN/GaN HEMT Yapılardaki Sıcak Elektron Dinamiğinin Karşılaştırılması, YMF2009 |
4 |
Ali Teke, Nitrit Temelli Morötesi Işık Yayan Diyotlar, 10. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Çalışma Toplantısı, Kocaeli Üniversitesi, 2008 (Çağrılı Konuşmacı) |
5 |
Ali Teke, Bayram Bütün, Erkin Ülker and Ekmel Özbay, InGaN/GaN Çoklu Kuantum Kuyulu Işık Yayan Diyotların Sıcaklığa Bağlı Fotolüminesans Özellikleri, 6. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Çalışma Toplantısı, Aselsan, 2007 |
6 |
S.T. Bayrak, R. Baran, S. Gökden, A.Teke and H. Morkoç, Electrical and optical properties of 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures, TFD2005 |
7 |
A. Kuzucu, A. Teke and H. Morkoç, Optical Properties of high-quality melt-grown and vapor-grown ZnO Crystals, TFD2005 |
8 |
Ali Teke GaN/AlGaN Multiple Quantum Well UV Photodetector, 6. Ulusal Optik, Elektro-Optik ve Fotonik Çalışma Toplantısı, Sabancı Üniversitesi, 2004 |
9 |
A. Kuzucu, A. Teke, Ü. Özgür, H. Morkoç, B. Nemeth, J. Nause Yüksek kalite ZnO tek kristallerin optiksel özelliklerinin incelenmesi, 22. Türk Fizik Derneği Kongresi, Bodrum, 470 (2004) |
10 |
Ş. İskender, A. Teke, H. Morkoç GaN/AlGaN Çoklu Kuantum Kuyulu Yapılarda Doğal ve Piezoelektrik Polarizasyon, 22. Türk Fizik Derneği Kongresi, Bodrum, 443 (2004) |
11 |
A. Teke, H. Morkoç, R. R. Alfano GaN/AlGaN Multiple-Quantum-Well Utraviolet Schottky Photodetectors, 22. Türk Fizik Derneği Kongresi, Bodrum, 228 (2004) |
12 |
S. T. Bayrak, A. Teke, H. Morkoç GaN/AlGaN 2-boyutlu elektron gazının optiksel ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi, 22. Türk Fizik Derneği Kongresi, Bodrum, 180 (2004) |
13 |
S. Gökden, A. Teke, Design a GaN based tunable wavelength hot electron assisted blue, green and yellow LEDs, 19. Türk Fizik Derneği Kongresi, Fırat Üniversitesi, Elazığ,169 (2000) |
14 |
A. Teke, S. Gökden and H. Namlı, Study on a novel material GaxIn1-xAs1-yNy/GaAs systems for optoelectronic applications 19. Türk Fizik Derneği Kongresi, Fırat Üniversitesi, Elazığ, 112 (2000) |
15 |
A. Teke, Longitudinally biased GaAs/AlxGa1-xAs hot electron VCSEL design 19. Türk Fizik Derneği Kongresi, Fırat Üniversitesi, Elazığ, 89 (2000) |
UZMANLIK ALANLARI
GaAs/AlGaAs, GaAs/InGaAsN, GaN/AlGaN ve ZnO/MgZnO hetero veya kuantum yapıların elektriksel ve optiksel özellikleri Yarıiletken heteroeklem yapılarda elektron taşınımı ve saçılma mekanizmaları Sıcak elektronlar, enerji ve momentum relaksiyonu, NDR ve etki iyonizasyonu LED, Lazer ve Fotodedektör gibi optoelektronik aygıt tasarımı ve karakterizasyonu |
ÖDÜLLER
Ödülün Adı |
Alındığı Kuruluş |
Yılı |
Atıf Ödülü |
Balıkesir Üniversitesi |
2011 |
Ziyaretçi
araştırmacı |
Virginia Commonwealth University (ABD) |
2002-2004 |
Doktora
sonrası araştırma bursu (İngiltere) |
TÜBİTAK |
2001 |
Yurtdışı
doktora bursu (İngiltere) |
YÖK |
1993-1997 |
YÖNETİLEN YÜKSEK LİSANS
VE DOKTORA TEZLERİ
Adı Soyadı |
Yüksek Lisans Tezleri |
Yılı |
Nuri CAN |
GaN Temelli Heteroeklem ve Kuantum Yapıların Optiksel Özelliklerinin İncelenmesi, Balıkesir Üniversitesi |
2011 |
Ayşe KUZUCU |
Eriyik ve Buhar
Tekniği İle Büyütülen Yüksek Kalite ZnO
Kristallerinin Optiksel Özellikleri, Balıkesir Üniversitesi |
2007 |
S. Tolga BAYRAK |
AlxGa1-xN/GaN 2-Boyutlu Elektron Gazının Elektriksel ve
Optiksel Özellikleri Arasındaki İlişkinin İncelenmesi,
Balıkesir Üniversitesi |
2003 |
Doktora Tezleri |
||
S. Tolga BAYRAK |
InAlxGa1-xN/InAlyGa1-yN
Kuantum Kuyulu Mor Ötesi Işık Yayan Diyotlar, Balıkesir
Üniversitesi |
2011 |
Aykut ILGAZ |
AlGa(In) N/GaN Yüksek Elektron
Mobileti Transistörlerde İki Boyutlu Elektron
Gazına Ait Sıcak Elektron Dinamiğinin İncelenmesi,
Balıkesir Üniversitesi, |
2011 |
Remziye
TÜLEK |
Yüksek
Performanslı Al(In)GaN/AlN/(In)GaN
Heteroeklem Yapıların İletim
Özellikleri, Balıkesir Üniversitesi, |
2010 |
İDARİ GÖREVLER
·
Balıkesir Üniversitesi, Fen Edebiyat
Fakültesi Dekanlığı, 2012- ·
Balıkesir Üniversitesi, Fen Edebiyat
Fakültesi, Fizik Bölüm Başkanlığı, 2011-2013 ·
Balıkesir Üniversitesi, ÖYP
Koordinatörlüğü, 2011- ·
Balıkesir Üniversitesi, Döner Sermaye
İşletme Müdürlüğü, 2011- |
VERİLEN LİSANS VE
LİSANSÜSTÜ DERSLER
Akademik
Yıl |
Dönem |
Dersin
Adı |
Haftalık
Saati |
Öğrenci
Sayısı |
|
Teorik |
Uygulama |
||||
2011-12 |
Güz |
Kuantum Mekaniği I Fizik I |
4 3 |
0 0 |
50 60 |
İlkbahar |
Kuantum Mekaniği I Fizik II |
4 3 |
0 0 |
50 60 |
|
Yaz Okulu |
Fizikte Matematiksel Yöntemler I Kuantum Mekaniği I ve II |
4 4 |
0 0 |
70 50 |
|
2012-13 |
Güz |
Elektronik Fizik I Kuantum Elektroniği I |
4 3 3 |
0 0 0 |
30 60 2 |
İlkbahar |
Fizik II Kuantum Elektroniği II |
3 3 |
0 0 |
60 2 |
|
Yaz Okulu |
|
|
|
|
Düzenleme Tarihi :13/11/2013